| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'une hétérostructure de type silicium sur saphir comprenant le collage d'un substrat SOI (110) sur un substrat en saphir (120) et l'amincissement du substrat SOI, l'amincissement étant réalisé par meulage suivi d'une gravure du substrat SOI (110). Conformément au procédé, le meulage est réalisé avec une roue (210) dont la surface de travail (211) comprend des particules abrasives d'une taille moyenne supérieure à 6,7 microns et en ce que ledit procédé comprend, après le meulage et avant la gravure, une étape de recuit post-meulage de l'hétérostructure réalisée à une température comprise entre 150°C et 170°C.</p> |
