半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，系为了达成半导体装置之低电阻化。本发明之半导体装置系具备：以抵接第1金属膜18之方式形成于半导体层之贯穿孔10；形成于前述贯穿孔10之侧壁部之绝缘膜12；形成于未形成有前述绝缘膜12之前述贯穿孔10底部之第1金属膜18上与前述半导体层上之第2金属膜13；形成于前述贯穿孔10内之前述绝缘膜12及第1金属膜18上之阻障金属膜14；及隔着前述阻障金属膜14而形成于前述贯穿孔内之配线层15。

主权项

一种半导体装置，其特征为具备：形成有从其表面贯穿到背面之贯穿孔、且于该表面形成有源极层之第1导电型半导体基板；被覆该贯穿孔，且形成于该半导体基板背面上之第1金属膜；及形成于该贯穿孔内，且与该第1金属膜电性连接之汲极层；在该贯穿孔之侧壁部复具备第1绝缘膜；该汲极层系包含：形成在该半导体基板表面上，且与该半导体基板之表面相接之第2金属膜；及被覆该第1绝缘膜及该第2金属膜之第3金属膜。