发明名称 半导体晶片、晶片构装及晶片构装制程
摘要 一种半导体晶片,适于电性连接一电路连接构件,半导体晶片包括一线路及一凸块,凸块系连接线路且适于电性连接电路连接构件,定义一平面,此平面系大致上平行于半导体晶片之一主动表面,其中线路与凸块连接的区域投影至此平面上的面积比如系大于30,000平方微米,或者线路与凸块连接的区域投影至此平面上的延伸距离比如系大于500微米。
申请公布号 TWI320956 申请公布日期 2010.02.21
申请号 TW093131516 申请日期 2004.10.18
申请人 米辑电子股份有限公司 发明人 周秋明;周健康;林茂雄
分类号 H01L21/56;H01L23/28 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种半导体封装结构,包括:一半导体晶片,其系包括一矽基底,一电晶体位在该矽基底上,一第一金属线路结构位在该矽基底及该电晶体上,该第一金属线路结构包括一第一细金属层及一第二细金属层,一介电层位在该第一细金属层及该第二细金属层之间,一保护层位在该矽基底、该第一金属线路结构及该介电层上方,一聚合物层位在该保护层上,该聚合物层包括一第一开口及一第二开口分别暴露出该第一金属线路结构之一第一接垫及一第二接垫,一第二金属线路结构位在该聚合物层上并连接该第一接垫及该第二接垫,该第一接垫经由该第二金属线路结构连接至该第二接垫,该第二金属线路结构包括一黏着/阻障层、一第一铜层及一第二铜层,该黏着/阻障层位在该聚合物层、该第一接垫及该第二接垫上,该第一铜层位在该黏着/阻障层上,该第二铜层位在该第一铜层上,且该第二铜层系由电镀所形成;一电路连接构件,其系包括一金属接点:以及一含锡凸块,其系位在该半导体晶片与该金属接点之间,该含锡凸块连接该第二铜层及该电路连接构件,且该含锡凸块与该金属接点具有一连接平面,其中该连接平面之面积系大于150,000平方微米。
地址 新竹市新竹科学工业园区园区二路47号301/302室