半导体组件及其制造方法

摘要

一种具有源极侧晕圈区的绝缘闸极场效半导体组件，以及制造该半导体组件的方法。于半导体基板上系形成闸极结构。于半导体基板中系形成源极侧晕圈区。在形成源极侧晕圈区之后，于邻接闸极结构的相反两边系形成间隔体。利用斜角植入于半导体基板中形成源极延伸区和汲极延伸区。该源极延伸区延伸于闸极结构之下，同时汲极延伸区为延伸于闸极结构之下或系侧向地与闸极结构相隔开。于半导体基板中系形成源极区和汲极区。

主权项

一种制造半导体组件之方法，包括：提供具有主要表面之第一导电性种类的半导体材料；于该主要表面上形成闸极结构，该闸极结构具有第一和第二侧边及上表面；利用斜角植入以于该半导体材料中非对称地植入该第一导电性种类的掺杂物，而该斜角植入采相对于该主要表面之垂直方向为小于90度之角度进行植入，其中部分之该掺杂物系邻接该闸极结构的该第一侧边并且做为第一晕圈区；形成邻接该闸极结构之该第一侧边的第一间隔体，以及邻接该闸极结构之该第二侧边的第二间隔体；于形成该第一晕圈区之后，利用斜角植入以于该半导体材料中植入第二导电性种类的掺杂物，而该斜角植入采相对于该主要表面之垂直方向为小于90度之角度进行植入，以形成非对称的第一与第二延伸区，其中，部分之该掺杂物系邻接该闸极结构的该第一侧边并且作为该第一延伸区，而另外一部分之该掺杂物系邻接该闸极结构的该第二侧边并且作为该第二延伸区；以及于该半导体材料中形成该第二导电性种类的第一和第二掺杂区，该第一掺杂区接近该闸极结构的该第一侧边以及该第二掺杂区接近该闸极结构的该第二侧边。