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发明名称
内连线的结构及其形成方法
摘要
本发明提供一种内连线的结构,包括:一沟槽,形成于一介电层内;一阻障层,形成于沟槽之侧壁上;以及一导电层,形成于沟槽内,其中导电层包括:一第一附属层,形成于阻障层上,具有一第一杂质浓度;一第二附属层,形成于第一附属层上,具有一第二杂质浓度;以及一第三附属层,形成于第二附属层上,具有一第三杂质浓度,其中相邻之该第一、第二及第三附属层之杂质浓度比大于2。
申请公布号
TWI320960
申请公布日期
2010.02.21
申请号
TW095136220
申请日期
2006.09.29
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
陈忠贤;林俊杰;蔡明兴;眭晓林
分类号
H01L21/768
主分类号
H01L21/768
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
一种内连线的结构,包括:一沟槽,形成于一介电层内;一阻障层,形成于该沟槽之侧壁上;以及一导电层,形成于该沟槽内,其中该导电层包括:一第一附属层,形成于该阻障层上,具有一第一杂质浓度;一第二附属层,形成于该第一附属层上,具有一第二杂质浓度;以及一第三附属层,形成于该第二附属层上,具有一第三杂质浓度,其中相邻之该第一、第二及第三附属层之杂质浓度比大于2。
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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