| 发明名称 |
在介电层上形成具有保护层之金属-绝缘体-金属（ＭＩＭ）电容器的方法以及以此方法形成的元件 |
| 摘要 |
一种形成金属－绝缘体－金属电容器的介电层的方法，其包括在金属－绝缘体－金属电容器的介电层上形成保护层来隔开介电层以避免与上层的光阻图案直接接触。在此也揭露相关电容器结构。 |
| 申请公布号 |
TWI320973 |
申请公布日期 |
2010.02.21 |
| 申请号 |
TW095129020 |
申请日期 |
2006.08.08 |
| 申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
金钟采;李悳珉;郑相日;洪锺郁 |
| 分类号 |
H01L29/92 |
主分类号 |
H01L29/92 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
| 主权项 |
一种形成金属－绝缘体－金属电容器的介电层的方法，其包括：在金属－绝缘体－金属电容器的介电层上形成保护层来隔开介电层以避免与上层的光阻图案直接接触。 |
| 地址 |
南韩 |
