半导体结构、半导体装置及其制作方法

摘要

本发明系提供一种半导体结构、半导体装置及其制作方法。其中半导体装置具有一理想化应力于通道区域之中，此半导体装置包含一闸极位于一基底上方，一第一间隙壁形成于闸极侧壁上，且在该第一间隙壁下方存在一非矽化区域，包含一凹槽的一源/汲极区域形成于上述基底之中，以及一矽化区域位于上述源/汲极区域上。一阶梯高度形成于矽化区域的一上部位与一下部位之间。凹槽与各别非矽化区域的边缘间隔一间隙距离。阶梯高度与间隙距离较佳的比例系约小于或等于3。其中非矽化区域的宽度与阶梯高度较佳的比例系约小于或等于3。

主权项

一种半导体结构，包含：一基底；一闸极，位于该基底的上方；一非矽化区域，邻接于该闸极，且设置于部分该基底上；一源/汲极区域，包含一凹槽，且该源/汲极区域位于基底之中；以及一矽化区域，于该源/汲极区域上，其中该矽化区域具有一顶部表面，其包含一下部位，及介于该下部位与该非矽化区域之间的一上部位，该下部位的一顶部表面低于该上部位的一顶部表面一个阶梯高度，其中该非矽化区域的宽度与该阶梯高度的比例小于或等于3。