| 发明名称 | 半导体制程 | ||
| 摘要 | 一种半导体制程，此半导体制程是先提供一基底。然后，对基底进行表面处理，以于基底上形成一层缓冲层。之后，在形成缓冲层之后，对基底进行第一前置非晶矽植入步骤。 | ||
| 申请公布号 | TWI320949 | 申请公布日期 | 2010.02.21 |
| 申请号 | TW095145365 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈意维;谢朝景;萧才富;张毓蓝;洪宗佑;张俊杰 |
| 分类号 | H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/265 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | 一种半导体制程，包括：提供一基底；对该基底进行一表面处理，以于该基底上形成一缓冲层；以及在形成该缓冲层之后，对该基底进行一第一前置非晶矽植入步骤。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||