| 摘要 |
1. Полупроводниковое силовое устройство, выполненное на основе кремниевой пластины, содержащее снизу вверх слой p-типа проводимости, слой n-типа проводимости, содержащий на поверхности множество ячеек прямоугольной формы, каждая из которых состоит из области p-типа проводимости прямоугольной формы, включающей по крайней мере одну область n+-типа проводимости, расположенную вблизи короткой стороны области p-типа, отличающееся тем, что внутри ячейки за пределами области n+-типа и на границах длинной стороны ячейки, а также вдоль длинных сторон ячеек между ячейками сформированы области p+-типа, а между областями p+-типа на поверхности слоя n-типа сформированы слой подзатворного диэлектрика и затвор. ! 2. Полупроводниковое силовое устройство по п.1, отличающееся тем, что на поверхности слоя n-типа между ячейками вдоль коротких сторон ячеек, а также частично над поверхностью областей p-типа и областей n-типа сформированы слой подзатворного диэлектрика и затвор. ! 3. Полупроводниковое силовое устройство по п.1, отличающееся тем, что область p+-типа имеет глубину залегания 0,3-1,0 мкм. ! 4. Полупроводниковое силовое устройство по п.1, отличающееся тем, что области p+-типа, сформированные на границах области p-типа и слоем подзатворного диэлектрика, являются стоком p-канального МОП-транзистора, а области p+-типа, сформированные между ячейками, являются истоком p-канального транзистора. |
