| 发明名称 | 制作半导体传感器装置的方法及获得的半导体传感器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制作半导体传感器装置(10)的方法，该半导体传感器装置用于感测物质(30)且包括条带状半导体区域(1)，该条带状半导体区域形成在半导体主体(12)的表面上且在第一端连接到第一导电连接区域(3)并且在第二端连接到第二导电连接区域(4)，同时包括待感测物质(30)的流体(20)可以沿着该条带状半导体区域(1)的侧面流动且待感测物质(30)可以影响条带状半导体区域(1)的电学属性，并且其中该条带状半导体区域(1)形成于位于绝缘层(5)顶部上的半导体层(13)内，该绝缘层(5)依次形成于半导体衬底(14)的顶部上。根据本发明，在该半导体层(13)内形成该条带状半导体区域(1)之后，该衬底(2)在与该半导体衬底(14)相对侧附着到包括该条带状半导体区域(1)的半导体主体(11)的部分，接着该半导体衬底(14)至少部分且优选地完全除去且随后开口(6)在该条带状半导体区域(1)的位置形成于该绝缘层(5)内。该方法适于规模化生产并保护易于由流体(20)导致损坏的该装置(10)的部分。 | ||
| 申请公布号 | CN101553726A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200780045485.4 | 申请日期 | 2007.12.05 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | N·N·卡亚 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/414(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 李亚非;刘 红 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体传感器装置(10)的方法，该半导体传感器装置用于感测物质(30)且包括条带状半导体区域(1)，该条带状半导体区域形成在包括衬底(2)的半导体主体(12)的表面上且在第一端连接到第一导电连接区域(3)并且在第二端连接到第二导电连接区域(4)，同时包括待感测物质(30)的流体(20)可以沿着该条带状半导体区域(1)的侧面流动且待感测物质(30)可以影响条带状半导体区域(1)的电学属性，其中该条带状半导体区域(1)形成于位于绝缘层(5)顶部上的半导体层(13)内，该绝缘层(5)依次形成于半导体衬底(14)的顶部上，该方法的特征在于，在该半导体层(13)内形成该条带状半导体区域(1)之后，该衬底(2)在与该半导体衬底(14)相对侧附着到包括该条带状半导体区域(1)的半导体主体(11)的部分，接着该半导体衬底(14)至少部分除去且随后开口(6)在该条带状半导体区域(1)的位置形成于该半导体衬底(14)的任意剩余部分内以及该绝缘层(5)内。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||