等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置任意且精密地控制蚀刻形状。在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，向基座(12)分别施加来自第一和第二高频电源(30、32)的等离子体生成用的第一高频、离子引入用的第一高频。从可变直流电源(74)输出的可变的直流电压V_DC通过导通/断开切换开关(76)和滤波器(82)施加在上部电极(60)上。在控制部(80)中使用的软件中编入有用于根据蚀刻工艺的种类、内容、条件而对直流电压V_DC时时刻刻地连续地进行可变控制的程序。

主权项

1.一种等离子体蚀刻方法，其在能够抽真空的处理容器内隔开规定的间隔平行地配置第一电极和第二电极，与所述第一电极相对地由第二电极支承被处理基板，将所述处理容器内真空排气至规定的压力，向所述第一电极与所述第二电极之间的处理空间供给期望的蚀刻气体，向所述第一电极或第二电极施加第一高频，在所述处理空间生成所述蚀刻气体的等离子体，在所述等离子体下蚀刻所述基板的表面的被加工膜，该等离子体蚀刻方法的特征在于：在蚀刻处理中，对在所述处理容器内离开所述基板的位置与所述等离子体中的反应种进行反应而被蚀刻的规定的部件施加直流电压，在至少将与所述蚀刻气体相关的工艺参数保持一定的规定的蚀刻工艺中，根据预先设定的时间-电压函数使所述直流电压在时间轴上可变，使得在所述被加工膜获得期望的蚀刻特性。