用于使玻璃上的薄膜硅氢化的方法和装置

摘要

本发明提供了一种通过使用原子氢源(26)使靶(24)如玻璃基底上的多晶硅膜氢化的方法和装置。使靶经受所述源的原子氢场的间歇暴露，直至使靶的至少一个区域经受氢场达预定的最小周期。通过它的原子氢场所建立的所述源的处理区域小于靶，并且在将靶移动进入到高温处理区(14)以后，将该靶在高温处理区之内平移至靶的间歇处理连续区域，直至整个靶被处理达预定的最小周期。在整个靶被处理以后，将靶冷却至预定的低温，同时仍间歇地使靶经受原子氢。

主权项

1.一种使用原子氢源使待处理的靶氢化的方法，其中如下处理所述靶：使靶的至少一个区域经受原子氢源的原子氢场的间歇暴露，直至使靶的至少一个区域经受原子氢场达预定的最小周期，其中在所述原子氢源的原子氢场内建立了小于靶的处理区域，所述方法包括：a)将待处理的所述靶移动到包含该处理区域的高温处理区中；b)将所述靶在高温处理区中平移，同时通过间歇地使它们经受所述原子氢源的原子氢场的暴露来处理靶的连续区域，直至靶的至少一个区域被处理达预定的最短周期；c)在所述靶的至少一个区域被处理达预定的最短周期以后，将所述靶的温度从预定的处理温度范围降低。