半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有用介质间隙填充物隔开的双应力物的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。更具体地说，本发明的每个CMOS器件都包括至少一个n沟道场效应晶体管(n-FET)和至少一个p沟道场效应晶体管(P-FET)。拉伸应力介质层覆盖n-FET，压缩应力介质层覆盖p-FET。间隙位于拉伸和压缩应力介质层之间并且用介质填充材料填充。在本发明的一个具体实施例中，拉伸和压缩应力介质层都被基本无应力的介质填充材料层覆盖。在本发明的可选实施例中，介质填充材料仅存在于拉伸和压缩应力介质层之间的间隙中。

主权项

1.一种半导体器件，包括：至少一个n沟道场效应晶体管和至少一个p沟道场效应晶体管，两者互相间隔；拉伸应力介质层，覆盖所述至少一个n沟道场效应晶体管；压缩应力介质层，覆盖所述至少一个p沟道场效应晶体管；其中一间隙位于所述拉伸和压缩应力介质层之间，并且其中用不同于所述拉伸和压缩应力介质层的介质填充材料填充所述间隙，所述介质填充材料仅存在于所述拉伸和压缩应力介质层之间的所述间隙中。