发明名称 |
在具有瞬态抑制二极管的滤波器中实现线性电容的器件及方法 |
摘要 |
一种具有单向模块化以及对称双向模块化能力的瞬态抑制二极管(TVS)电路,集成有电磁干扰(EMI)滤波器,设置在具有第一种导电形式的半导体衬底上。集成有EMI滤波器的TVS电路还包括用于对称双模块结构的设置于表面的接地端,以及用于单向模块结构的设置于半导体衬底底部的接地端,输入和输出端设置于顶部表面,半导体衬底上设置有至少一个稳压二极管和若干个电容,用于将接地端直接电容耦合到输入端及输出端,而无需介入浮体区域。 |
申请公布号 |
CN101552272A |
申请公布日期 |
2009.10.07 |
申请号 |
CN200810177718.2 |
申请日期 |
2008.11.12 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
何佩天;马督儿·博德;张复兴;翁丽敏 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H03H7/01(2006.01)I;H03H7/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 |
代理人 |
白璧华;翁若莹 |
主权项 |
1、一种电子器件,其受到集成有电磁干扰滤波器的双向对称模块化瞬态抑制二极管电路保护,其中:集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管还包括并联在输入端与接地端之间的至少一个稳压二极管与若干个电容,其中,当在所述输入端与所述接地端之间设置反向偏压时,所述输入端与所述接地端之间的总电容值实质上处于一个恒定值;并且集成有电磁干扰滤波器的所述的瞬态抑制二极管由一半导体衬底支持,所述的若干个电容包括若干开设在半导体衬底上的填充有绝缘材料的浅槽,并且,所述的浅槽由包括一氮化物绝缘层和一氧化物绝缘层组成的组合绝缘层进行填充。 |
地址 |
百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 |