| 发明名称 | 制造具有球形凹陷栅极的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成多个球形凹陷、在包括球形凹陷的衬底上形成栅极绝缘层、在相应球形凹陷的球形图案的侧壁上形成图案化第一导电层以及在栅极绝缘层上形成图案化第二导电层的同时填充球形凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN100547764C | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200710108696.X | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 曹祥薰 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成多个球形凹陷；在包括所述球形凹陷的所述衬底上形成栅极绝缘层；在所述相应球形凹陷的球图案的侧壁上形成图案化的第一导电层；在所述栅极绝缘层上形成图案化的第二导电层同时填充所述球形凹陷。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||