发明名称 降低传播延迟以及工艺和温度对缓冲器影响的方法
摘要 公开了一种具有缓慢输出边沿的缓冲电路。从单触发定时电路驱动脉冲的高值电流源,以便将电流的脉冲注入到缓冲器输出MOSFET的控制栅极,从而加速启动输出MOSFET的导通或截止。当导通和截止的开始到达时,低值电流源持续驱动输出MOSFET的栅极。在一个实施例中,从输入信号的上升沿和下降沿产生单触发。高值电流脉冲的作用是通过缓冲器降低延迟。此外,能够将脉宽设计为温度敏感、电源电压敏感,以便在出现温度、电源电压和工艺变化时维持缓冲电路延迟基本不变。
申请公布号 CN100547925C 申请公布日期 2009.10.07
申请号 CN200480016448.7 申请日期 2004.06.10
申请人 快捷半导体有限公司 发明人 克里斯蒂安·克里因;詹姆斯·J·麦克唐那二世
分类号 H03K17/16(2006.01)I 主分类号 H03K17/16(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 董 莘
主权项 1.一种方法,包括以下步骤:驱动来自具有控制输入端的输出晶体管的输出信号,将相反极性的第一和第二低值电流源连接到控制输入端,将相反极性的第一和第二高值脉冲电流源连接到控制输入端,其中第一高值脉冲电流源与第一低值电流源极性相同,而第二高值脉冲电流源与第二低值电流源极性相同,同时激活第一低值脉冲电流源和第一高值脉冲电流源,其中当脉冲结束而第一高值脉冲电流源关闭时,作为响应,上述输出信号显现为在快速变换之后是缓慢变换,以及同时激活第二低值脉冲电流源和第二高值脉冲电流源,其中当脉冲结束而第二高值脉冲电流源关闭时,作为响应,上述输出信号显现为在快速变换之后是缓慢变换。
地址 美国缅因