发明名称 |
光电转换器件、其设计和制造方法以及成像系统 |
摘要 |
本发明公开一种光电转换器件、其设计和制造方法以及成像系统。光电转换器件包括:多个光电转换单元;包含具有第一折射率的第一绝缘膜和具有第二折射率的第二绝缘膜的第一抗反射部分;以及包含元件隔离部分和第三绝缘膜的第二抗反射部分,所述元件隔离部分包含具有第三折射率的绝缘体,所述第三绝缘膜具有所述第二折射率,其中,第一抗反射部分减少光电转换单元中的进入光电转换单元的光的反射,并且,第二抗反射部分减少元件隔离部分中的进入元件隔离部分的光的反射。 |
申请公布号 |
CN101552279A |
申请公布日期 |
2009.10.07 |
申请号 |
CN200910132982.9 |
申请日期 |
2009.04.03 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
下津佐峰生 |
分类号 |
H01L27/142(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/142(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
康建忠 |
主权项 |
1.一种光电转换器件,包括:被布置在半导体衬底中的多个光电转换单元;包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一抗反射部分,所述第一绝缘膜被布置在光电转换单元上并具有第一折射率,所述第二绝缘膜被布置在第一绝缘膜上并具有第二折射率;以及包含元件隔离部分和第三绝缘膜的第二抗反射部分,所述元件隔离部分被布置在所述半导体衬底中、使所述多个光电转换单元电隔离、并包含具有第三折射率的绝缘体,所述第三绝缘膜比第二绝缘膜厚、被布置在所述元件隔离部分上、并具有第二折射率,其中,第一抗反射部分减少所述光电转换单元中的进入所述光电转换单元的光的反射,以及第二抗反射部分减少所述元件隔离部分中的进入所述元件隔离部分的光的反射。 |
地址 |
日本东京 |