| 发明名称 | N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管 | ||
| 摘要 | 一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、原胞区域和设在原胞区域周围的终端区域，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，原胞区域和终端区域设在N型掺杂硅外延层上，所述的终端区域包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区，其中第一超结结构包括P型柱和N型柱，在N型硅掺杂半导体区中设有N型重掺杂半导体区，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层，在N型重掺杂半导体区上连接有金属层，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区上设有场氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101552291A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200910030064.5 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 孙伟锋;祝靖;钱钦松;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陆志斌 |
| 主权项 | 1、一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、原胞区域(13)和设在原胞(13)周围的终端区域(14)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1)上，原胞区域(13)和终端区域(14)设在N型掺杂硅外延层(2)上，所述的终端区域(14)包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)，其中第一超结结构包括P型柱(4)和N型柱(3)，在N型硅掺杂半导体区(2)中设有N型重掺杂半导体区(16)，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)上设有场氧化层(15)，在N型重掺杂半导体区(16)上连接有金属层(11)，其特征在于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)上设有场氧化层(15)。 | ||
| 地址 | 210096江苏省南京市四牌楼2号 | ||