| 发明名称 | 一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜及其制备方法。本发明的锆酸铅基反铁电薄膜以LaNiO<sub>3</sub>薄膜材料作为底电极材料，使制得的锆酸铅基反铁电薄膜既具有较高的电致应变量又具有较小的相变电场，能够在电可调微电子器件中应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101550025A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200910051917.3 | 申请日期 | 2009.05.25 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;郝喜红 |
| 分类号 | C04B41/50(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C04B41/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 1.一种具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜，其特征在于，所述具有高电致应变特性的锆酸铅基反铁电薄膜的底电极材料为LaNiO3薄膜材料。 | ||
| 地址 | 200092上海市杨浦区四平路1239号 | ||