发明名称 |
Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法 |
摘要 |
Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在V<sub>Pb</sub>、V<sub>O</sub>及晶体诱导色心Pb<sup>3+</sup>、O<sup>-</sup>和F缺陷,光学性能差的问题。Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。制备方法:一、烧结;二、采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素钇和锌,在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,大幅度改善其光学性能。本发明Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。 |
申请公布号 |
CN100547125C |
申请公布日期 |
2009.10.07 |
申请号 |
CN200710072440.8 |
申请日期 |
2007.07.02 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
徐衍岭;杨春晖;王锐;杨同勇;王斌举 |
分类号 |
C30B29/32(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/32(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
单 军 |
主权项 |
1、Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体,其特征在于Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm;Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体按以下步骤制备:一、烧结:将氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌放入铂坩埚混合均匀,然后置于温度为1000℃的环境中烧结2h,再冷却至室温;二、采用提拉法生长晶体:经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序,即得到Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |