薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

主权项

1、一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括以下步骤：在绝缘基板上形成栅极线，所述栅极线具有由含Al金属制成的第一层和由钼合金制成的第二层，所述钼合金包括钼以及铌、钒和钛中的至少一种，所述栅极线具有栅电极，其中所述第一层和所述第二层被同时蚀刻；在所述栅极线上依次淀积栅极绝缘层、半导体层以及欧姆接触层；构图所述半导体层和所述欧姆接触层；在所述栅极绝缘层和所述欧姆接触层上形成漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极以预定间隙面对所述源电极；在所述数据线和所述漏电极上形成具有接触孔的钝化层，所述接触孔暴露所述源电极；以及在所述钝化层上形成象素电极，所述象素电极通过所述接触孔连接到所述漏电极。