基板处理方法和基板处理系统

摘要

能够防止由基板制造半导体器件的生产率降低的基板处理方法。向具有热氧化膜、BPSG膜和沉积膜的晶片供应HF气体，由此使用氟化酸选择性蚀刻BPSG膜和沉积膜。蚀刻时生成的H₂SiF₆残留物质受热分解成HF和SiF₄。

主权项

1.一种用于处理具有单晶硅基板基材，通过热氧化处理形成的第一氧化膜，及含杂质的第二氧化膜的基板的基板处理方法，一部分单晶硅基板基材通过所述第一和第二氧化膜暴露出来，该方法包括：使用卤素系气体的等离子体蚀刻所述暴露的单晶硅基板基材的等离子蚀刻步骤；向所述基板供应HF气体的HF气体供应步骤；及对供应了HF气体的所述基板进行加热的基板加热步骤，其中在所述等离子蚀刻步骤，所述HF气体供应步骤和所述基板加热步骤过程中，所述基板不暴露于环境空气中。