发明名称 | 半导体装置、布线衬底的形成方法和衬底处理装置 | ||
摘要 | 准备已经使支承面(201a)平坦了的衬底支座(201),用例如真空吸附把布线形成面(1a)吸附在该支承面(201a)上,从而把半导体衬底(1)固定在衬底支座(201)上。这时,向支承面(201a)的吸附就使布线形成面(1a)强制性的平坦化,这样,布线形成面(1a)成为背面(1b)的平坦化基准面。在该状态下,对背面(1b)进行机械研磨,将背面(1b)的凸部(12)研磨除去来进行平坦化处理。这样,就能够使衬底(特别是半导体衬底)的厚度离散均一化,不会发生凹凸扭曲等不适当的情况,能够容易且廉价地实现无布线设计约束的高速平坦化。 | ||
申请公布号 | CN100547741C | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
申请号 | CN200380102282.6 | 申请日期 | 2003.12.10 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中川香苗;水越正孝;手代木和雄 |
分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王玉双 |
主权项 | 1.一种布线衬底的形成方法,在被处理衬底的一个主面上形成布线,其特征在于,包含如下工序:第一工序,通过真空吸附,强制地使应形成所述布线的所述衬底的一个主面成为平坦的状态,在该状态下以所述衬底的一个主面为基准,对所述衬底的另一个主面实施第一机械加工,将所述衬底的另一个主面平坦化,第二工序,在所述衬底的一个主面上,形成所述布线和覆盖所述布线的绝缘膜,第三工序,以所述衬底的另一个主面为基准,对所述衬底的一个主面实施第二机械加工,使所述衬底的一个主面平坦化,以使所述布线的表面和所述绝缘膜的表面连续且平坦,所述第二机械加工是使用刨刀的切削加工。 | ||
地址 | 日本国神奈川县 |