| 发明名称 | 在封装级制作用于被覆盖的MEMS的衬底接触的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种从包括支撑层(108)和覆盖该支撑层(108)的覆盖物(132)的衬底(500)形成微机电系统(“MEMS”)器件(100)的方法。在一个示例实施例中，该方法包括切割衬底(500)从而将该衬底(500)分成第一管芯(148)和第二管芯(150)，其中该第一管芯(148)具有第一侧壁(138)，和将导电材料(182)淀积到第一侧壁(138)上从而将该覆盖物(132)耦合至支撑层(108)。 | ||
| 申请公布号 | CN101553899A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200680021842.9 | 申请日期 | 2006.04.28 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 阿尔温特·S·萨利安;赫曼特·D·德赛;史蒂芬·R·胡珀;威廉·G·麦克唐纳 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/4763(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种从衬底形成微机电系统(“MEMS”)器件的方法，所述衬底包括支撑层和覆盖所述支撑层的覆盖物，所述方法包括：切割所述衬底以将所述衬底分成第一管芯和第二管芯，所述第一管芯具有第一侧壁；以及将导电材料淀积到所述第一侧壁上，以将所述覆盖物电耦合到所述支撑层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||