| 发明名称 | 相变存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及相变存储器及其制造方法。一种相变存储器件包括下部电极以及共用所述下部电极的至少两个相变存储单元。另一种相变存储器件包括加热层，所述加热层具有较小的与相变材料层的接触面积以及较大的与PN二极管结构的接触面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101552282A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200910132603.6 | 申请日期 | 2009.03.27 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑镇基 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种相变存储器件，包括：下部电极；和共用所述下部电极的至少两个相变存储单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||