半导体产品的制作方法

摘要

一种半导体产品的制作方法，包括：a)提供衬底；b)形成字线；c)在字线之间形成辅助结构；d)对辅助结构进行图形化，从而形成从顶侧延伸通过辅助结构到底侧的沟槽；e)用填充结构(30)填充沟槽；f)通过蚀刻移除辅助结构，从而暴露填充结构的侧壁，以及g)在填充结构之间中形成用来接触衬底表面的导电接触结构，此接触结构具有提供在距衬底表面一定距离处的顶侧，此接触结构延伸到衬底表面，并在衬底表面处具有宽度，此宽度沿第一方向大于接触结构的顶侧沿第一方向的宽度。由于接触结构在衬底表面处的宽度增大，即使接触结构相对于有源区横向不对准，也得到了对有源区的改进电接触。

主权项

1.一种半导体产品的制作方法，此方法包含下列步骤：a)提供衬底(2)，此衬底(2)具有衬底表面(22)，b)形成字线(10)，这些字线(10)彼此间以一定距离而排列，并沿平行于衬底表面(22)的第一方向(x)延伸，c)在字线(10)之间形成辅助结构(20)，此辅助结构(20)填充衬底表面(22)上方的字线(10)之间的空间，并具有顶侧(20a)和底侧(20b)，顶侧(20a)与衬底表面(22)之间的距离大于底侧(20b)与衬底表面之间的距离，d)对辅助结构(20)进行图形化，从而形成从顶侧(20a)延伸通过辅助结构(20)到底侧(20b)的沟槽(21)，在每个辅助结构(20)中多个沟槽被形成，这些沟槽(21)沿第一方向(x)彼此以一定距离排列，沟槽(21)沿第一方向(x)的宽度(V)在辅助结构(20)的顶侧(20a)处大于在辅助结构(20)的底侧(20b)处，e)用填充结构(30)填充形成在辅助结构(20)中的沟槽(21)，f)通过蚀刻移除辅助结构(20)，从而暴露填充结构(30)的侧壁(30c)，以及g)在填充结构(30)之间中形成用来接触衬底表面(22)的导电接触结构(24)，此接触结构(24)具有提供在距衬底表面(22)一定距离处的顶侧(24a)，此接触结构(24)延伸到衬底表面(22)，并在衬底表面(22)处具有宽度(W)，此宽度沿第一方向(x)大于接触结构(24)的顶侧(24a)沿第一方向(x)的宽度(w)。