| 发明名称 | 磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100547701C | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200480025316.0 | 申请日期 | 2004.09.06 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 林信和;尾中和弘;仲尾幸夫;田川正孝;锅谷公志;山口雅子 |
| 分类号 | H01F10/16(2006.01)I;G01R33/06(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种磁偏膜，其特征在于包括：磁偏磁体，包含磁性层、在与上述磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场；其中，上述磁偏磁体，被加工为长边、短边、层压方向的厚度依次减短的近似长方体形状、其长边对短边的长度的比在5～200的范围内，且在短边方向上被配置有多个。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||