通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法

摘要

本发明提供了形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法。所述氮化硅硬掩膜包括掺杂碳的氮化硅层和未掺杂的氮化硅层。本发明提供了由包含碳源化合物、硅源化合物和氮源的化合物在RF功率的存在下沉积的掺杂碳的氮化硅层。本发明还提供了对氮化硅层进行UV后处理以提供氮化硅硬掩膜的方法。所述掺杂碳的氮化硅层和经UV后处理的氮化硅层具有硬掩膜层所期望的湿法蚀刻速率和干法蚀刻速率。

主权项

1.一种形成掺杂碳的氮化硅硬掩膜的方法，包括：将碳源化合物引入处理室；将硅源化合物引入所述处理室；以及将氮源引入所述处理室；在所述处理室中，使所述碳源化合物、硅源化合物和氮源在RF功率的存在下反应，以将所述掺杂碳的氮化硅硬掩膜沉积在衬底上；其中在第一流率下将所述碳源化合物引入所述处理室，在第二流率下将所述硅源化合物引入所述处理室，并且所述第二流率与所述第一流率之比为约50∶1～约1∶1。