发明名称 发光半导体接着结构及其方法
摘要 一种发光半导体接着结构及其方法,其主要是通过一基板接着一发光半导体的结构,且该基板是一具有电气线路的结构,该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧姆接触的N电极层与P电极层;以及在该基板表面通过浸镀法或沉积法形成第一金属层以及第二金属层,而分别电气连接至该基板电气线路的对应电气讯号输出输入节点,且第一金属层以及第二金属层,分别与发光半导体的N电极层以及P电极层相互配合,使得该第一金属层以及第二金属层通过超音波熔接而分别对应N电极层以及P电极层而相互接着,用以将发光半导体接着于基板上,并形成电气连接。
申请公布号 CN100547812C 申请公布日期 2009.10.07
申请号 CN200410078344.0 申请日期 2004.09.23
申请人 璨圆光电股份有限公司 发明人 潘锡明;简奉任
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 郝庆芬
主权项 1.一种发光半导体接着结构,其主要是通过一基板接着一发光半导体的结构,且该基板是一具有电气线路的结构,该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧姆接触的N电极层与P电极层;以及该基板表面具有第一金属层以及第二金属层,分别电气连接至该基板电气线路的对应电气讯号输出输入节点,且第一金属层以及第二金属层,分别与发光半导体的N电极层以及P电极层相互配合,使得该第一金属层以及第二金属层分别对应N电极层以及P电极层而相互接着,用以将该发光半导体接着于该基板上,并形成电气连接,其中,该第一金属层以及第二金属层的面积,分别对应N电极层以及P电极层,而形成相近大小的接触面积。
地址 台湾省桃园县