批次处理原子层沉积反应器的处理制程

摘要

本发明的实施例提供处理制程，以在气相沉积腔室中的制程期间降低基板的污染。处理制程可在例如原子层沉积(ALD)制程的气相沉积制程之前、期间或之后进行。在ALD制程的一例子中，含有中间处理步骤及预定循环数目的ALD循环的制程循环是重复进行，直至沉积材料具有所需厚度。腔室及基板在处理制程期间可暴露于惰性气体、氧化气体、氮化气体、还原气体或其等离子。在一些例子中，处理气体可含有臭氧、水、氨、氮、氩或氢。在一例子中，在批次制程腔室中沉积氧化铪材料的制程包括预处理步骤、ALD制程的中间处理步骤及后处理步骤。

主权项

1.一种在制程腔室中的基板上形成材料的方法，其至少包含：将制程腔室暴露于预处理制程；将该制程腔室中的至少一基板暴露于原子层沉积(ALD)制程，该制程包含：在一原子层沉积循环期间，将该至少一基板循序暴露于至少二化学前驱物；以预定的循环数而重复该原子层沉积循环；以及在每一该预定的循环数后进行处理制程；以及将该制程腔室暴露于后处理制程。