等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在周期性地对在等离子体处理中使用的高频的功率进行调制的方式中，尽可能地减少等离子体阻抗的变动和向高频电源的反射，保证等离子体的稳定性、再现性以及高频电源的安全保护。在该等离子体处理装置中，不仅以与处理相应的特性对偏压控制用高频(LF)的功率进行频率调制，还与LF功率的脉冲调制同步地对其频率(LF频率)进行脉冲调制。即，使LF功率与LF频率之间在1个周期内具有如下的同步关系，在LF功率维持H电平的设定值P_A的期间T_A的时段内，LF频率也维持H电平的设定值F_A，在LF功率维持L电平的设定值P_B的期间T_B的时段内，LF频率也维持L电平的设定值F_B。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够进行真空排气的处理容器；在所述处理容器内支撑被处理基板的第一电极；向在所述处理容器内设定在所述第一电极之上的处理空间供给处理气体的处理气体供给部；在所述处理容器内激励所述处理气体生成等离子体的等离子体激励部；第一高频供电部，其在所述第一电极上施加第一高频，以从所述等离子体将离子引入所述被处理基板；以规定的周期对所述第一高频的功率进行调制的第一高频功率调制部；和与所述第一高频的功率调制实质上同步地对所述第一高频的频率进行调制的第一频率调制部。