发明名称 实现欠电压瞬时脱扣的纯模拟电路
摘要 本发明揭示了一种实现欠电压脱扣的纯模拟电路,包括:整流电路,连接到交流输入电源;维持吸合电路,连接到整流电路,产生维持吸合电路信号;欠电压门槛判定电路,连接到整流电路,判断欠电压的门槛;初始吸合电流延时电路,连接到欠电压门槛判定电路;MOSFET驱动电路,连接到整流电路,连接到维持吸合电路以及初始吸合电流延时电路的输出,综合整流电路、维持吸合电路以及初始吸合电流延时电路的输出后输出驱动信号;电磁铁动作机构,连接到所述MOSFET驱动电路,根据驱动信号控制电磁铁的吸合或分断。
申请公布号 CN101552450A 申请公布日期 2009.10.07
申请号 CN200810207361.8 申请日期 2008.12.19
申请人 上海电器科学研究所(集团)有限公司 发明人 张聪;施惠冬;谈永根
分类号 H02H3/24(2006.01)I;H01F7/18(2006.01)I;H01H47/02(2006.01)I 主分类号 H02H3/24(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 陆 嘉
主权项 1.一种实现欠电压脱扣的纯模拟电路,其特征在于,包括:整流电路,连接到交流输入电源;维持吸合电路,连接到整流电路,产生维持吸合电路信号;欠电压门槛判定电路,连接到整流电路,判断欠电压的门槛;初始吸合电流延时电路,连接到所述欠电压门槛判定电路;MOSFET驱动电路,连接到所述整流电路,连接到所述维持吸合电路以及所述初始吸合电流延时电路的输出,综合整流电路、维持吸合电路以及初始吸合电流延时电路的输出后输出驱动信号;电磁铁动作机构,连接到所述MOSFET驱动电路,根据所述驱动信号控制电磁铁的吸合或分断。
地址 200063上海市武宁路505号