硅片蚀刻方法

摘要

本发明公开了一种硅片刻蚀方法，用于对硅片进行刻蚀，包括初刻、主刻、过刻三个步骤，主刻步骤中采用的工艺气体包括CHF3、O2及SF6的混合气体。混合气体在蚀刻工艺中的流速为10-500sccm、压力为4-100mT。主刻过程中上射频电源SFR将充入反应腔室的混合气体电离成等离子体，下射频电源BFR对等离子体进行加速，轰击硅片表面，其中，F*自由基与Si发生反应生成SiFx；SiFx被混合气体中的O2氧化成SiOxFy，附着在刻蚀槽的侧壁上，在侧壁上形成保护层，使刻蚀槽侧壁光滑、刻蚀的结构特征明显、边缘平整。该方法可适用于线宽小于90nm的多晶硅层刻蚀，也可用于其它硅片的刻蚀。

主权项

一种硅片刻蚀方法，用于对硅片进行刻蚀，包括初刻、主刻、过刻三个步骤，其特征在于，所述的主刻步骤中采用的工艺气体包括CHF3、O2及SF6的混合气体；所述的主刻步骤包括步骤：A、CHF3、O2及SF6按照蚀刻工艺要求的比例混合后，按照蚀刻工艺要求的速度和压力充入反应腔室，所述反应腔室装有硅片，对硅片的刻蚀工艺在反应腔室内完成；同时，上射频电源SFR将充入反应腔室的混合气体电离成等离子体，下射频电源BFR对等离子体进行加速；B、所述等离子体刻蚀硅片形成刻蚀槽，同时，等离子体与Si发生反应的生成物附着在刻蚀槽的侧壁上，在侧壁上形成保护层；所述的CHF3、O2及SF6的混合气体的组份比例为：CHF3与O2之间的体积比例为0.02～20；O2与SF6之间的体积比例为0.01～50；所述混合气体在蚀刻工艺中的流速为10-500sccm；所述混合气体在蚀刻工艺中的压力为4-100mT；所述的SRF和BRF在蚀刻过程中的功率分别为200-1000W和20-500W，SRF和BRF的频率分别为1MHz-100MHz。