| 发明名称 | 存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种存储单元，所述存储单元包括：一基底；一介电层，形成于上述基底之上，上述介电层具有一第一介电阶状物以及一第二介电阶状物，其中上述第一介电阶状物以及上述第二介电阶状物之间具有一沟槽；一第一导电层，覆盖于上述介电层的表面；一磁阻结构，覆盖于上述第一导电层的表面；一电极，覆盖于上述磁阻结构的表面并耦接至上述磁阻结构；一绝缘层，覆盖于上述电极的表面；以及一第二导电层，覆盖于上述沟槽中的上述绝缘层的表面。具有上述结构的存储单元在不减少表面积的情况下，与先前平面磁阻结构相比，其存储密度增加。 | ||
| 申请公布号 | CN1783335B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200510105996.3 | 申请日期 | 2005.10.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊杰 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种存储单元，所述存储单元包括：一基底；一介电层，形成于上述基底之上，上述介电层具有一第一介电阶状物以及一第二介电阶状物，其中上述第一介电阶状物以及上述第二介电阶状物之间具有一沟槽；一第一导电层，覆盖于上述介电层的表面；一磁阻结构，覆盖于上述第一导电层的表面；一电极，覆盖于上述磁阻结构的表面并耦接至上述磁阻结构；一绝缘层，覆盖于上述电极的表面；以及一第二导电层，覆盖于上述沟槽中的上述绝缘层的表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||