薄膜晶体管阵列面板及制造方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

主权项

一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；在所述基板上形成的栅极线；在所述基板上形成的栅极绝缘层；在所述基板上形成的半导体层；数据线，所述数据线在所述半导体层上形成并且具有源电极；漏电极，所述漏电极在所述半导体层上形成并且设置为与所述源电极相对；以及连接至所述漏电极的像素电极，其中，所述数据线具有含Al导电膜和含Mo导电膜，所述含Mo导电膜在所述含Al导电膜的上侧和下侧的至少其中之一上形成，所述半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有与所述数据线以及所述漏电极基本相同的平面形状，所述第二部分设置并暴露在所述源电极和所述漏电极之间，并且所述第二部分含有原子个数百分比为3.0％至20％的Cl原子。