CMOS图像传感器的制造方法

摘要

在一种制造CMOS图像传感器的方法中，在焊盘上用氮化硅层形成微透镜，使得能够降低微透镜的高度，并能够提高折射率。除了外形为弯曲表面的主透镜，还通过以高蚀刻选择比蚀刻氧化硅层和氮化硅层，形成了侧壁隔离物型状的内部透镜。

主权项

一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：形成金属线图样；在所述金属线图样上形成焊盘层；在所述焊盘层上形成钝化层；用光刻胶掩模蚀刻所述钝化层，用于微透镜的形成；在所蚀刻的所述钝化层上顺序地形成氧化硅层和氮化硅层；以及通过以氮化硅层与氧化硅层的高于20∶1的高蚀刻选择比蚀刻所述氧化硅层和所述氮化硅层，在所蚀刻的钝化层的表面中和在所蚀刻的钝化层的内侧壁上形成双重结构的微透镜。