发明名称 晶圆级芯片封装制程与芯片封装结构
摘要 一种晶圆级芯片封装制程,包括下述步骤。首先,提供一个晶圆,晶圆内含多个芯片单元,且晶圆具有一个主动表面以及相对的一个背面,每一芯片单元在主动表面上具有若干个接垫。接着,在这些接垫下方形成若干个贯孔。接着,在这些贯孔内填入导电性材料与相对应的这些接垫电性连接,且导电性材料曝露并凸出于晶圆的背面。再者,在主动表面上形成一层透明黏着层。再来,在透明黏着层上配置一个透明盖板,以通过透明黏着层接合透明盖板与晶圆。然后,进行一单体化步骤,以分离这些芯片单元与其所对应的透明盖板,而形成多个独立的芯片封装结构。
申请公布号 CN101211791B 申请公布日期 2010.05.12
申请号 CN200610063630.9 申请日期 2006.12.27
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈建宇
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/10(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 翟羽
主权项 一种晶圆级芯片封装制程,其特征在于:其包括如下步骤:提供一个晶圆的步骤,该晶圆内含多个芯片单元,且该晶圆具有一个主动表面以及相对的一个背面,每一该芯片单元的该主动表面上具有若干个接垫;在该若干个接垫下方形成若干个贯孔的步骤;在该若干个贯孔内填入导电性材料与相对应的该若干个接垫电性连接,且该导电性材料曝露并凸出于该晶圆的该背面的步骤,其中该导电性材料包括焊料,且在填入该导电性材料于该若干个贯孔后,进行一个回焊该导电材料的步骤,以使得曝露并凸出于该晶圆背面的该导电材料受热而熔融为球体状;在该主动表面上形成一层透明黏着层的步骤;在该透明黏着层上配置一个透明盖板,以通过该透明黏着层接合该透明盖板与该晶圆的步骤;以及进行一单体化步骤,以分离该多个芯片单元与其所对应的该透明盖板,而形成多个独立的芯片封装结构的步骤。
地址 中国台湾高雄楠梓加工区经三路26号