非易失性半导体存储器及将数据写入该存储器的方法

摘要

将数据写入非易失性半导体存储器的方法。如果第一位和第二位的最终态与其各自初始态相符，执行第一步，包括保持第一位和第二位的初始态。如果第一和第二位具有擦除的最终态且第一和第二位的初始态不是擦除，执行第二步，包括擦除第一和第二位。如果第一和第二位都不将从编程的初始态改变为擦除的最终态，执行第三步，包括如果第一位将从擦除的初始态变为编程的最终态则编程第一位，和/或如果第二位将从擦除的初始态变为编程的最终态则编程第二位。如果第一和第二位只有一个将从编程的初始态变为擦除的最终态，执行第四步，包括首先擦除第一和第二位，然后如果第一位在最终态为编程则编程第一位，或如果第二位在最终态为编程则编程第二位。

主权项

一种用于将数据写入非易失性半导体存储器的方法，该半导体存储器包括同时擦除的第一位和第二位，其中，通过执行步骤a)、b)、c)和d)的组中的一个步骤将存储在第一位中和第二位中的初始状态改变为最终状态，其中该方法包括：a)如果第一位和第二位的最终状态都与它们各自的初始状态相符，则保持第一位和第二位的初始状态；b)如果第一位和第二位都具有擦除的最终状态而第一位或第二位的初始状态不是擦除，则擦除第一位和第二位；c)如果第一位和第二位都不将从编程的初始状态改变为擦除的最终状态，则如果第一位将从擦除的初始状态改变为编程的最终状态，编程第一位，和/或如果第二位将从擦除的初始状态改变为编程的最终状态，编程第二位；和d)如果第一位和第二位中仅一位将从编程的初始状态改变为擦除的最终状态，则首先擦除第一位和第二位，然后如果第一位在最终状态为编程，编程第一位，或如果第二位在最终状态为编程，编程第二位。