| 发明名称 | 发光二极管 | ||
| 摘要 | 发光二极管，涉及发光二极管的外延结构技术领域。在N-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为n-GaAs缓冲层、隧穿结、p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和GaAs欧姆接触层。本实用新型可增加有效出光面积，极大地提高亮度。利用隧穿结将n-GaAs衬底与其他有效外延层连接起来。对比目前比较成熟的倒装粗化LED，除去了衬底剥离、bonding等复杂的芯片工艺步骤，简化芯片流程，提高生产效率，降低生产成本，提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN201466053U | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200920047652.5 | 申请日期 | 2009.07.07 |
| 申请人 | 扬州乾照光电有限公司 | 发明人 | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
| 主权项 | 发光二极管，其特征在于在N-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为n-GaAs缓冲层、隧穿结、p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和GaAs欧姆接触层；所述p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层中，x为0.6～1，y为0.4～0.6；所述Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区中，x为0～0.5，y为0.4～0.6；所述n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层中，x为0.6～1，y为0.4～0.6。 | ||
| 地址 | 225009 江苏省扬州市维扬路108号 | ||