具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻

摘要

一种蚀刻半导体和介电质基板的方法和装置，是利用具有化学式CaFb的第一气体和具有化学式CxHyFz的第二气体的混合为主的等离子体，其中a/b≥2/3，且其中x/z≥1/2。此混合气体可在磁性增强反应式离子反应室中维持较低或中间程度的等离子体密度以提供绝佳角落镀层选择性，光刻胶层选择性，底部镀层选择性，及外部轮廓和底部特征尺寸控制的工艺。第一和第二气体的分配比例可在蚀刻时加以改变以提供蚀刻未掺杂氧化层薄膜或在此类薄膜上提供蚀刻中止的等离子体。

主权项

一种蚀刻基板的方法，该方法包含：提供至少包含一氧化层的一基板；及蚀刻该氧化层，其中是以氧气和至少第一和第二气体混合为基底的等离子体；其中该第一气体的化学式为CaFb，其中该第二气体的化学式为CxHyFz，其中a/b≥2/3，其中x/z≥1/2，且其中a，b，y和z均大于0且x大于1。