发明名称 具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构
摘要 本实用新型公开了一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构,其包括:一发光二极管晶片,其结构包含有:一基板;一第一半导体层;一活性层;一第二半导体层;一透明导电层;一第一电极,其设置于所述第一半导体层之上;一第二电极,其部分设置于所述第二半导体层之上和所述透明导电层之上;至少一第一透明被覆层,其包覆于所述发光二极管晶片的外侧,且其具有低折射率;至少一第二透明被覆层,其包覆于所述第一透明被覆层的外侧,且其具有高折射率。本实用新型发光二极管晶片可发出二种以上波长的光线,可以提升不同波长光线的穿透率,藉此以增加发光二极管的光取出率。
申请公布号 CN201466055U 申请公布日期 2010.05.12
申请号 CN200920073744.0 申请日期 2009.04.07
申请人 山东璨圆光电科技有限公司 发明人 蔡亚萍;武良文;简奉任
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 丁纪铁
主权项 一种具有多层膜穿透窗被覆层的发光二极管结构,其特征在于,包括:一发光二极管晶片,其结构包含有:一基板;一第一半导体层,其设置于所述基板之上;一活性层,其设置于所述第一半导体层之上;一第二半导体层,其设置于所述多个活性层之上;一透明导电层,其部分设置于所述第二半导体层之上;一第一电极,其设置于所述第一半导体层之上;一第二电极,其部分设置于所述第二半导体层之上和所述透明导电层之上;至少一第一透明被覆层,其包覆于所述发光二极管晶片的外侧,且其具有低折射率;至少一第二透明被覆层,其包覆于所述第一透明被覆层的外侧,且其具有高折射率。
地址 山东省乳山市台湾工业园