一种具有倾斜表面漂移区的横向功率晶体管

摘要

本发明提供了一种具有倾斜表面漂移区的横向功率晶体管，该器件至少包含依次相连的三个半导体掺杂区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极区)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏区(或阴极区)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与衬底层相接，上部与场氧层相接。漂移区的厚度沿从沟道区(阳极)到漏区(阴极)的方向以线性或平方根形式逐渐增加，从而形成倾斜的漂移区表面。采用该结构制造横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有导通电阻小、击穿电压高、工艺简单、成本低廉等优点。

主权项

一种具有倾斜表面漂移区横向功率器件，其特征是：它包括半导体衬底层(100)，在衬底上方的外延层(120)，和外延层上方的场氧化层(112)，所述的外延层(120)包含一个具有第一类导电类型的半导体区域(106)，一个具有高掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域(108)，二者之间通过一个具有低掺杂浓度的第二类导电类型的半导体区域(110)隔开，半导体区域(110)构成了功率器件的漂移区，其厚度沿着从第一类导电类型的半导体区域(106)到具有高掺杂浓度第二类导电类型的半导体区域(108)的方向由薄到厚逐渐增加，从而形成倾斜表面。