发明名称 碳纳米管成膜方法、成膜装置及碳纳米管薄膜
摘要 本发明的目的在于提供一种可在低温下有效、且大量、廉价地制造可用作工业材料的单壁碳纳米管的薄膜的方法及装置,所述方法及装置的特征在于:利用流动气相CVD法而将原料源合成为碳纳米管,并在连结于反应管的腔室内,使合成的碳纳米管直接附着于基板上而在基板上成膜。
申请公布号 CN101707904A 申请公布日期 2010.05.12
申请号 CN200880020917.0 申请日期 2008.07.01
申请人 独立行政法人产业技术总合研究所 发明人 斎藤毅
分类号 C01B31/02(2006.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种碳纳米管成膜方法,其特征在于:利用流动气相化学气相沉积法将原料源合成为碳纳米管,并在连结于反应管的腔室内,使合成的所述碳纳米管直接附着于基板上而在所述基板上成膜。
地址 日本东京