发明名称 | 碳纳米管成膜方法、成膜装置及碳纳米管薄膜 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提供一种可在低温下有效、且大量、廉价地制造可用作工业材料的单壁碳纳米管的薄膜的方法及装置,所述方法及装置的特征在于:利用流动气相CVD法而将原料源合成为碳纳米管,并在连结于反应管的腔室内,使合成的碳纳米管直接附着于基板上而在基板上成膜。 | ||
申请公布号 | CN101707904A | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
申请号 | CN200880020917.0 | 申请日期 | 2008.07.01 |
申请人 | 独立行政法人产业技术总合研究所 | 发明人 | 斎藤毅 |
分类号 | C01B31/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
主权项 | 一种碳纳米管成膜方法,其特征在于:利用流动气相化学气相沉积法将原料源合成为碳纳米管,并在连结于反应管的腔室内,使合成的所述碳纳米管直接附着于基板上而在所述基板上成膜。 | ||
地址 | 日本东京 |