用于转换具低电流的磁阻式随机存取存储器的磁矩的方法

摘要

一种用于写入磁阻式随机存取存储器(MRAM)装置的存储器单元的方法连续包括：在第一方向提供第一磁场；在大体上与所述第一方向正交的第二方向提供第二磁场；关闭所述第一磁场；在与所述第一方向相反的第三方向提供第三磁场；关闭所述第二磁场；和关闭所述第三磁场。一种用于转换MRAM存储器单元中的磁矩的方法包括：在与偏压磁场的方向形成钝角的方向提供磁场。一种用于读取MRAM装置的方法包括：部分地转换参照存储器单元中的磁矩以产生参照电流；测量通过待读取的存储器单元的读取电流；和比较所述读取电流与所述参照电流。

主权项

一种用于写入磁阻式随机存取存储器装置的存储器单元的方法，其中所述磁阻式随机存取存储器装置具有多个存储器单元、多个写入位线和多个写入字线，而所述多个写入位线与所述多个写入字线彼此正交，且每一所述多个存储器单元对应于所述多个写入位线其中之一及所述写入字线其中之一，而所述的方法，其特征是包含：使所述存储器单元承受偏压磁场；在第一时间点，提供负字线电流，以于第一方向提供第一磁场；在与所述第一时间点间隔第一预设时间的第二时间点，提供正位线电流，以于第二方向提供第二磁场，所述第二方向与所述第一方向正交；在与所述第二时间点间隔第二预设时间的第三时间点，关闭所述负字线电流，以关闭所述第一磁场；在所述第三时间点，提供正字线电流，以于第三方向提供第三磁场，所述第三方向与所述第一方向相反；在与所述第三时间点间隔第三预设时间的第四时间点，关闭所述正位线电流，以关闭所述第二磁场；和在与所述第四时间点间隔第四预设时间的第五时间点，关闭所述正字线电流，以关闭所述第三磁场。