| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在源极/漏极扩散层(64)上形成Ni膜(66)的工序；通过进行热处理，使Ni膜(66)中的下层侧的部分和源极/漏极扩散层(64)中的上层侧的部分反应，在源极/漏极扩散层(64)上形成Ni2Si膜(70b)的第一热处理工序；有选择地蚀刻除去Ni膜(66)中的未反应的部分的工序；通过进行热处理，进一步使Ni2Si膜(70b)源极/漏极扩散层(64)中的上层侧的部分反应的第二热处理工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1938825B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200580010207.6 | 申请日期 | 2005.05.10 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 川村和郎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：栅极电极，其形成在半导体基板上，源极/漏极扩散层，其形成在上述栅极电极的两侧的上述半导体基板内，Si1-xGex膜，其被埋入上述源极/漏极扩散层，组成比x为0＜x＜1，硅化物膜，其形成在上述Si1-xGex膜上；上述硅化物膜仅由组成比x为0＜x＜1的Ni Si1-xGex构成，上述硅化物膜的膜厚为20nm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||