发明名称 |
基于金属/纳米管复合镀的场发射显示装置阴极制备方法 |
摘要 |
一种纳米技术领域的基于金属/纳米管复合镀的场发射显示装置阴极制备方法。本发明工序包括:先对纳米管进行预处理,使其端部开口并纯化;然后通过超声分散或添加分散剂,将纳米管分散在电镀基础镀液中;再运用掩膜电镀的方法在场发射显示装置阴极的指定部位制备金属/纳米管梯度复合薄膜;接着对复合镀层的表层作轻度腐蚀,使得最外层的纳米管有一部分从金属包覆层中释放出来;最后对复合镀层进行清洗,形成表层纳米管一部分裸露、一部分根植于金属基体之中的金属/纳米管复合微结构。本发明能够制备发射效率高,发射电流大,工艺兼容性好,使用寿命长的大面积高分辨率场发射显示装置。 |
申请公布号 |
CN1832084B |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200610025668.7 |
申请日期 |
2006.04.13 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
丁桂甫;吴惠箐;王裕超 |
分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
一种基于金属/纳米管复合电镀的场发射显示装置阴极制备方法,其特征在于,具体步骤包括:(1)先对纳米管进行预处理,使其端部开口并纯化;(2)然后通过超声分散处理或添加分散剂处理,将纳米管分散在电镀基础镀液中;(3)再运用掩膜电镀的方法在场发射显示装置阴极的指定部位制备金属/纳米管复合薄膜,其中,纳米管含量沿薄膜厚度方向呈梯度分布,并在表面层达到最大富集;(4)接着对步骤(3)中获得的金属/纳米管复合薄膜的表层作轻度腐蚀,使得最外层的纳米管有一部分从金属包覆层中释放出来;(5)最后对步骤(4)中获得的金属/纳米管复合薄膜进行清洗,步骤完成;所述的金属/纳米管复合薄膜中,金属基体是锌、银、铜、镍金属单质或者是银/锌合金,纳米管包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、纳米碳纤维中的至少一种,复合薄膜表层富集纳米管一部分裸露、一部分根植于金属基体之中的金属/纳米管复合微结构,作为场发射显示装置阴极电子发射源使用,场发射电流主要来源于纳米管侧壁发射的电子。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |