单晶及其应用

摘要

本发明涉及一种组成为Z(H，D)2MO4的四方单晶(1，11)，其中Z是一种元素或元素组，或元素混合物和/或元素组混合物，它选自K，N(H，D)4，Rb，Ce组；M是选自P，As的元素；(H，D)是氢和/或氚，它包括大尺寸的近似平行六面体的区域，特别是每个面的边长AC1，AC2，AC3大于或等于200mm，优选大于或等于500mm，它由近似平行六面体籽晶(2，22)在溶液中生长而得到，其中籽晶的面的边长是AG1，AG2，AG3。本发明的特征在于，至少一个籽晶的边长AG1大于或等于十分之一的单晶的边长，优选为四分之一，以及籽晶的至少另一边长AG3小于或等于最长的籽晶边长五分之一，优选为十分之一。本发明同样涉及一种可以得到这种四方单晶的方法。这种晶体特别感兴趣的是制造光学元件，尤其是应用于激光器的光学元件。

主权项

可采用如下所述方法得到的单晶：由近似平行六面体单晶籽晶(2，22)在溶液中生长制造四方单晶(1，11)，该单晶籽晶(2，22)组成为Z(H，D)2MO4，其中Z是一种元素或元素组，或一种元素混合物和/或元素组混合物，其选自K，N(H，D)4，Rb，Ce，其中M是选自P，As的元素以及(H，D)是氢和/或氘，其籽晶的边长为AG1，AG2，AG3，该籽晶置于浸没在溶液(60)中并旋转的平台(50)上，所说的单晶(1，11)生长速度(Vx，Vy，Vz)在晶体主轴(X，Y，Z)上具有相同数量级，其特征在于至少包括以下步骤：-从单晶上切割籽晶，以便至少一个籽晶边长AG2小于或等于籽晶最长边长AG1的五分之一，至少一个籽晶边长大于或等于25mm；-通过与其底面接触按照所希望的取向籽晶被定位在平台(50)上，旋转的轴穿过所述的籽晶，并且籽晶边的最大长度AG1具有和旋转轴相同的方向；和-插入盛有溶液(60)的结晶槽(70)中，然后旋转这个有籽晶(2，22)的平台(50)，使单晶(1，11)生长，其中，所得到的单晶(1，11)组成为Z(H，D)2MO4，其中Z是一种元素或元素组，或一种元素混合物和/或元素组混合物，其选自K，N(H，D)4，Rb，Ce；M是选自P，As的元素，以及(H，D)是氢和/或氘，并且所得到的单晶(1，11)包括一个大尺寸的近似平行六面体的区域，每个面的边长AC1，AC2，AC3大于或等于200mm。