半导体集成电路器件及其设计方法

摘要

从库中读入没有阱电位固定有源区的标准单元(4T-11至4T-14，4T-21至4T-24，4T-31至4T-34，4T-41至4T-44)并进行自动布图布线，从而临时设计电路。然后，至少根据临时设计电路中以相同时序开关的晶体管的数量、晶体管的尺寸、迁移概率以及出现概率估算衬底电位的变化。确定所估计的衬底电位的变化是否在参考值内。当估算的衬底电位的变化超过参考值时，从库中读入具有阱电位固定有源区的标准单元(2T-11，2T-21，2T-31，2T-41)并配置在估算的衬底电位变化超过参考值的区域。然后在此通过自动布图布线形成电路。

主权项

一种半导体集成电路器件，包括：通过配置单元列形成的电路部分，每个单元列具有沿第一方向和沿与第一方向交叉的第二方向配置的标准单元，单元列包括：第一标准单元，该第一标准单元的每个具有分别被施加电源电压和接地电位的第一和第二端子、具有在施加于第一和第二端子之间的电压下工作的晶体管且没有阱电位固定有源区的第一电路、作为第七端子的形成于半导体衬底中的第一导电类型的第一阱区、和作为第八端子的在半导体衬底中与第一阱区相邻地形成的第二导电类型的第二阱区；和第二标准单元，该第二标准单元被配置在将以与第一标准单元相同的定时而被开关的晶体管集中的区域或者位于大晶体管附近，该第二标准单元的每个包括第三和第四端子以及第二电路，其中所述第三和第四端子被施加电源电压和接地电位，所述第二电路包括用于将形成于内部的空余区域中并分别电连接至第三和第四端子的固定阱电位的第一和第二有源区、以及从第三和第四端子供给电源并从第一和第二有源区施加背栅偏置的晶体管，该第二标准单元包括形成于半导体衬底内的第一导电类型的第三阱区以及在半导体衬底内与第三阱区相邻地形成的第二导电类型的第四阱区，第一有源区形成在第三阱区中，第二有源区形成在第四阱区中，其中，单元列中的第一标准单元的阱电位通过将所述第一和第三阱区连接在一起并将所述第二和第四阱区连接在一起而由第二标准单元固定。