发明名称 |
半导体处理室中使用的物件及其制造方法 |
摘要 |
提供了一种用于半导体应用中的具有保护涂层的物件及其制造方法。在一个实施例中,涂覆用于半导体沉积处理室的物件的铝表面的方法,包括如下步骤:加热涂层材料至半液态,所述涂层材料包括氟化铝和氟化镁中的至少一种材料;在所述铝表面沉积经加热的涂覆材料。所述保护涂层具有小于大约10%的β相位颗粒取向,其能够很牢固地粘附到铝,且能抗断裂、抗破碎和抗剥落。一些较有助益的被涂覆物件包括喷淋头、阻挡板、支撑组件和真空处理室本体。 |
申请公布号 |
CN1653587B |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN03803333.X |
申请日期 |
2003.01.29 |
申请人 |
应用材料有限公司 |
发明人 |
篮契许·罗·林葛波里 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;C23C4/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
一种涂覆半导体处理室中使用的物件的铝表面的方法,包括:加热防止氟和/或含氟化合物渗透的涂覆材料至半液体、半固体状态;以及将所述经加热的涂覆材料沉积于所述铝表面上。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |