半导体器件的制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种能形成高性能MOS晶体管的半导体器件的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上经栅极绝缘膜形成栅电极(S1)；使用栅电极作为掩模，将杂质引入到半导体衬底中(S7)；将控制扩散的物质引入到半导体衬底中，以控制杂质扩散(S8)；在栅电极的各个侧表面上形成侧壁绝缘膜(S9)；使用栅电极和侧壁绝缘膜作为掩模，将杂质深深地引入半导体衬底中(S10)；通过使用快速热退火法的退火处理激活杂质(S11)；以及通过毫秒退火处理进一步激活杂质(S12)。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上经栅极绝缘膜形成栅电极；使用该栅电极作为掩模，将第一杂质引入到半导体衬底中；将控制扩散的物质引入到该半导体衬底中，以控制该第一杂质扩散；在将该第一杂质和该控制扩散的物质引入该半导体衬底中之后，在该栅电极的各个侧表面上形成侧壁绝缘膜；使用该栅电极和该侧壁绝缘膜作为掩模，将第二杂质引入到该半导体衬底中，其中该第二杂质的引入部分比该第一杂质和该控制扩散的物质深，该第二杂质的导电类型与该第一杂质相同；在将该第二杂质引入到该半导体衬底中之后，进行第一次退火处理，以激活该第一杂质和该第二杂质；以及在进行该第一次退火处理之后，进行第二次退火处理，以进一步激活该第一杂质和/或该第二杂质，其中该第二次退火处理的退火时间不长于100毫秒。